STF7NM60N

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STF7NM60N概述

STMICROELECTRONICS  STF7NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.84 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装


立创商城:
N沟道 600V 5A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 5 A, 0.84 ohm, TO-220FP, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


富昌:
STF7NM60N 系列 N 沟道 600 V 0.9 Ω MDmesh™ 功率 Mosfet - TO-220FP


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 20W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


力源芯城:
600V,0.84Ω,5A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 4.7A TO-220FP


STF7NM60N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.84 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 20 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 5A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 363pF @50VVds

额定功率Max 20 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-5

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-5

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

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型号: STF7NM60N
描述:STMICROELECTRONICS  STF7NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.84 ohm, 10 V, 3 V
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