STMICROELECTRONICS STF7NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.84 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
立创商城:
N沟道 600V 5A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 5 A, 0.84 ohm, TO-220FP, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
富昌:
STF7NM60N 系列 N 沟道 600 V 0.9 Ω MDmesh™ 功率 Mosfet - TO-220FP
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; 20W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
力源芯城:
600V,0.84Ω,5A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 4.7A TO-220FP
针脚数 3
漏源极电阻 0.84 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 20 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 5A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 363pF @50VVds
额定功率Max 20 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-5
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 16.4 mm
封装 TO-220-5
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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