STB7NK80Z-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB7NK80Z-1概述

N沟道800V - 1.5ヘ - 5.2A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 800V - 1.5ヘ - 5.2A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

通孔 N 通道 5.2A（Tc） 125W（Tc） I2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube

STB7NK80Z-1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125 W

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 5.2A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1138pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB7NK80Z-1

型号： STB7NK80Z-1

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道800V - 1.5ヘ - 5.2A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 800V - 1.5ヘ - 5.2A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

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