STMICROELECTRONICS STP85NF55 场效应管, MOSFET
N-Channel 55V 80A Tc 300W Tc Through Hole TO-220AB
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MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
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N沟道 55V 80A
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STP85NF55 系列 N 沟道 55 V 8 mΩ STripFET™ II 功率 MOSFET - TO-220
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# STMICROELECTRONICS STP85NF55 MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
力源芯城:
55V,6.2mΩ,80A,N沟道功率MOSFET
额定电压DC 55.0 V
额定电流 80.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
输入电容 3700 pF
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 3700pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STP85NF55 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB85NF55T4 意法半导体 | 类似代替 | STP85NF55和STB85NF55T4的区别 |
HUF75345P3 飞兆/仙童 | 功能相似 | STP85NF55和HUF75345P3的区别 |