STS8DNF3LL

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STS8DNF3LL概述

STS8DNF3LL 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ω 12.5 nC STripFET™ II Mosfet- SOIC-8

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 8A 1.6W Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the STS8DNF3LL power MOSFET, developed by STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 2000 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin SO N T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STS8DNF3LL  Dual MOSFET, Dual N Channel, 8 A, 30 V, 20 mohm, 10 V, 1 V


Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC


STS8DNF3LL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 8.00 A

漏源极电阻 0.02 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 800pF @25VVds

额定功率Max 1.6 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STS8DNF3LL
型号: STS8DNF3LL
描述:STS8DNF3LL 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ω 12.5 nC STripFET™ II Mosfet- SOIC-8
替代型号STS8DNF3LL
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