STW45NM60

STW45NM60图片1
STW45NM60图片2
STW45NM60图片3
STW45NM60图片4
STW45NM60图片5
STW45NM60图片6
STW45NM60图片7
STW45NM60图片8
STW45NM60图片9
STW45NM60图片10
STW45NM60图片11
STW45NM60图片12
STW45NM60图片13
STW45NM60图片14
STW45NM60图片15
STW45NM60概述

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW45NM60, 45 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装


立创商城:
STW45NM60


贸泽:
MOSFET N-Ch 650 Volt 45 Amp


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 28A; 417W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 45A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


儒卓力:
**N-CH 600V 45A 110mOhm TO247-3 **


力源芯城:
650V,0.09Ω,45A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
N-CHANNEL 600V - 0.09ohm - 45A TO-247 MDmes TM Power MOSFET


STW45NM60中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 45.0 A

通道数 1

漏源极电阻 110 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 417 W

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 45.0 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 3800pF @25VVds

额定功率Max 417 W

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 417W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STW45NM60引脚图与封装图
STW45NM60引脚图
STW45NM60封装图
STW45NM60封装焊盘图
在线购买STW45NM60
型号: STW45NM60
描述:N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STW45NM60
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STW45NM60

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STW30NM60N

意法半导体

类似代替

STW45NM60和STW30NM60N的区别

FCA47N60

飞兆/仙童

功能相似

STW45NM60和FCA47N60的区别

FCA47N60_F109

飞兆/仙童

功能相似

STW45NM60和FCA47N60_F109的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台