N沟道24V - 0.0039ohm - 80A DPAK超低栅极电荷的STripFET MOSFET N-CHANNEL 24V - 0.0039ohm - 80A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
N-Channel 24V 80A Tc 100W Tc Surface Mount DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
贸泽:
MOSFET N-Ch 24 Volt 80 Amp
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 24V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
额定电压DC 30.0 V
额定电流 80.0 A
漏源极电阻 0.0039 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 24 V
漏源击穿电压 24.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 2070pF @15VVds
额定功率Max 100 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD95NH02LT4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD95N2LH5 意法半导体 | 类似代替 | STD95NH02LT4和STD95N2LH5的区别 |
NTD110N02RT4G 安森美 | 功能相似 | STD95NH02LT4和NTD110N02RT4G的区别 |
STD100NH02LT4 意法半导体 | 功能相似 | STD95NH02LT4和STD100NH02LT4的区别 |