STMICROELECTRONICS STP20NM60FD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 290 mohm, 10 V, 4 V
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics
### MOSFET ，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP20NM60FD, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP20NM60FD Power MOSFET, N Channel, 20 A, 600 V, 290 mohm, 10 V, 4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
额定电压DC 600 V
额定电流 20.0 A
额定功率 45 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 290 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 192 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.30 nF
栅电荷 37.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1300pF @25VVds
额定功率Max 192 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 192W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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