STB140NF55T4

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STB140NF55T4概述

STMICROELECTRONICS  STB140NF55T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK


欧时:
### N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 40 A, 0.0065 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
N-Channel 55 V 0.0065 Ohm 80 A 300 W STripFET II Power MOSFET


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STB140NF55T4  MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V


DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK


STB140NF55T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 80.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0065 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 150 ns

输入电容Ciss 5300pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 45 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STB140NF55T4引脚图与封装图
STB140NF55T4引脚图
STB140NF55T4封装图
STB140NF55T4封装焊盘图
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型号: STB140NF55T4
描述:STMICROELECTRONICS  STB140NF55T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
替代型号STB140NF55T4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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