STMICROELECTRONICS STB140NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
欧时:
### N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 40 A, 0.0065 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
N-Channel 55 V 0.0065 Ohm 80 A 300 W STripFET II Power MOSFET
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STB140NF55T4 MOSFET Transistor, N Channel, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
额定电压DC 55.0 V
额定电流 80.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0065 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 5300pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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