STU16N65M2

STU16N65M2图片1
STU16N65M2图片2
STU16N65M2图片3
STU16N65M2图片4
STU16N65M2图片5
STU16N65M2概述

IPAK N-CH 650V 11A

N-Channel 650V 11A Tc 110W Tc Through Hole IPAK TO-251


得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A IPAK


贸泽:
MOSFET N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


儒卓力:
**N-CH 650V 11A 360mOhm TO251 **


STU16N65M2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 110 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 8.2 ns

输入电容Ciss 718pF @100VVds

下降时间 11.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STU16N65M2
型号: STU16N65M2
描述:IPAK N-CH 650V 11A

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台