STP100N10F7

STP100N10F7图片1
STP100N10F7图片2
STP100N10F7图片3
STP100N10F7图片4
STP100N10F7图片5
STP100N10F7图片6
STP100N10F7图片7
STP100N10F7图片8
STP100N10F7图片9
STP100N10F7图片10
STP100N10F7图片11
STP100N10F7概述

100V,6.8mΩ,80A,N沟道功率MOSFET

N-Channel 100V 80A Tc 150W Tc Through Hole TO-220


立创商城:
STP100N10F7


得捷:
MOSFET N CH 100V 80A TO-220


贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150W


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
STP100N10F7 系列 N 沟道 100 V 8 mOhm STripFET VII 功率 Mosfet - TO-220-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP100N10F7  MOSFET, N-CH, 100V, 80A, TO-220-3 New


力源芯城:
100V,6.8mΩ,80A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N CH 100V 80A TO-220


STP100N10F7中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0068 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 4.5 V

输入电容 4369 pF

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 4369pF @50VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 医用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP100N10F7
型号: STP100N10F7
描述:100V,6.8mΩ,80A,N沟道功率MOSFET
替代型号STP100N10F7
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STP100N10F7

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

IPP072N10N3GXKSA1

英飞凌

功能相似

STP100N10F7和IPP072N10N3GXKSA1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台