100V,6.8mΩ,80A,N沟道功率MOSFET
N-Channel 100V 80A Tc 150W Tc Through Hole TO-220
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STP100N10F7
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MOSFET N CH 100V 80A TO-220
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力源芯城:
100V,6.8mΩ,80A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N CH 100V 80A TO-220
针脚数 3
漏源极电阻 0.0068 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 4.5 V
输入电容 4369 pF
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 4369pF @50VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 医用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STP100N10F7 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP072N10N3GXKSA1 英飞凌 | 功能相似 | STP100N10F7和IPP072N10N3GXKSA1的区别 |