STL57N65M5

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STL57N65M5概述

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。

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得捷:
MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT


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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STL57N65M5, 22 A, Vds=710 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装


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STL57N65M5 系列 650 V 22.5 A 61 mOhm N 沟道 MDmesh™ 功率 Mosfet - POWERFLAT


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STL57N65M5中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.8 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 4.3A

输入电容Ciss 4200pF @100VVds

额定功率Max 3 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 2.8W Ta, 189W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 PowerVDFN-8

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 8 mm

高度 0.95 mm

封装 PowerVDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: STL57N65M5
描述:N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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