







P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
立创商城:
P沟道 30V 2A
得捷:
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
欧时:
### P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET PTD LOW VOLTAGE
e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -30 V, 0.048 ohm, 10 V, -2.5 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
富昌:
30V, 2A, 0.056 OHM, P-CH, SOT-23
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
针脚数 3
漏源极电阻 0.048 Ω
极性 P-CH
耗散功率 350 mW
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 2A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 639pF @25VVds
下降时间 3.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350mW Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.75 mm
高度 1.3 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free