STR2P3LLH6

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STR2P3LLH6概述

P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


立创商城:
P沟道 30V 2A


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MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23


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MOSFET PTD LOW VOLTAGE


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晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -30 V, 0.048 ohm, 10 V, -2.5 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R


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Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R


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30V, 2A, 0.056 OHM, P-CH, SOT-23


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23


STR2P3LLH6中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.048 Ω

极性 P-CH

耗散功率 350 mW

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 2A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 639pF @25VVds

下降时间 3.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350mW Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.75 mm

高度 1.3 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STR2P3LLH6
型号: STR2P3LLH6
描述:P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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