STB30N65M5

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STB30N65M5概述

N沟道650 V, 0.125 I© , 22 A, MDmeshâ ?? ¢ V功率MOSFET D²PAK , TO- 220FP , I²PAK , TO- 220 , TO- 247 N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh™ V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247

表面贴装型 N 通道 22A(Tc) 140W(Tc) D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
STB30N65M5: 650 V 0.139 Ohm 表面贴装 N-沟道 功率 MOSFET - D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 650V 22A 125mOhm TO263 **


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK


STB30N65M5中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 140 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 2880pF @100VVds

额定功率Max 140 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STB30N65M5
型号: STB30N65M5
描述:N沟道650 V, 0.125 I© , 22 A, MDmeshâ ?? ¢ V功率MOSFET D²PAK , TO- 220FP , I²PAK , TO- 220 , TO- 247 N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh™ V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247
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