N沟道650 V, 0.125 I© , 22 A, MDmeshâ ?? ¢ V功率MOSFET D²PAK , TO- 220FP , I²PAK , TO- 220 , TO- 247 N-channel 650 V, 0.125 Ω, 22 A, MDmesh⢠V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247
表面贴装型 N 通道 22A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
STB30N65M5: 650 V 0.139 Ohm 表面贴装 N-沟道 功率 MOSFET - D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
儒卓力:
**N-CH 650V 22A 125mOhm TO263 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
耗散功率 140 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 2880pF @100VVds
额定功率Max 140 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STB30N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STP30N65M5 意法半导体 | 完全替代 | STB30N65M5和STP30N65M5的区别 |
STI30N65M5 意法半导体 | 完全替代 | STB30N65M5和STI30N65M5的区别 |