



















STMICROELECTRONICS STN4NF03L 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.039 ohm, 10 V, 1 V
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STN4NF03L, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
得捷:
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
立创商城:
N沟道 30V 6.5A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.039 ohm, 10 V, 1 V
艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this STN4NF03L power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 3300 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes stripfet ii technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
富昌:
N-Channel 30 V 0.05 Ohm Surface Mount STripFET™ II MosFet - SOT-223
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.5A; 3.3W; SOT223
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STN4NF03L MOSFET Transistor, N Channel, 6.5 A, 30 V, 0.039 ohm, 10 V, 1 V
儒卓力:
**N-CHANNEL-FET 6,5A 30V SOT223 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
额定电压DC 30.0 V
额定电流 6.50 A
额定功率 3.3 W
针脚数 4
漏源极电阻 0.039 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.3 W
阈值电压 1 V
输入电容 330 pF
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 6.50 A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 330pF @25VVds
额定功率Max 3.3 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.8 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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