N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics
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欧时:
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得捷:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
立创商城:
STP12NM50
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Jameco:
Transistor MOSFET N Channel 500 Volt 12 Amp 3 Pin 3+ Tab TO-220 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
N-沟道 550 V 0.35 Ω 28 nC 法兰安装 MDmesh™ 功率 MosFet - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP12NM50 MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 550 V, 350 mohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 500V 12A 350mOhm TO220-3 **
Win Source:
N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFET
额定电压DC 500 V
额定电流 12.0 A
额定功率 160 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.35 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 12.0 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 1000pF @25VVds
额定功率Max 160 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 160W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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