STP12NM50

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STP12NM50概述

N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics

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欧时:
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得捷:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB


立创商城:
STP12NM50


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 550 V, 12 A, 0.35 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Jameco:
Transistor MOSFET N Channel 500 Volt 12 Amp 3 Pin 3+ Tab TO-220 Tube


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Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
N-沟道 550 V 0.35 Ω 28 nC 法兰安装 MDmesh™ 功率 MosFet - TO-220


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Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 160W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


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# STMICROELECTRONICS  STP12NM50  MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 550 V, 350 mohm, 10 V, 4 V


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**N-CH 500V 12A 350mOhm TO220-3 **


Win Source:
N-CHANNEL 500V - 0.3W - 12A TO-220/TO-220FP/I PAK MDmesh]Power MOSFET


STP12NM50中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 12.0 A

额定功率 160 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.35 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 1000pF @25VVds

额定功率Max 160 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STP12NM50引脚图与封装图
STP12NM50引脚图
STP12NM50封装图
STP12NM50封装焊盘图
在线购买STP12NM50
型号: STP12NM50
描述:N 通道 MDmesh™,500V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STP12NM50
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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