STD25NF10LT4

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STD25NF10LT4概述

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STD25NF10LT4, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


得捷:
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK


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N沟道 100V 25A


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MOSFET N-Ch 100 Volt 25 Amp


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Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 25A; 100W; DPAK


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Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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# STMICROELECTRONICS  STD25NF10LT4  MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 100 V, 30 mohm, 10 V, 2.5 V


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**N-CH 100V 25A 35mOhm TO252-3 **


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25A,100V,N沟道功率MOSFET


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MOSFET N-CH 100V 25A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK


STD25NF10LT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 25.0 A

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 100 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 25.0 A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 1710pF @25VVds

额定功率Max 100 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STD25NF10LT4引脚图与封装图
STD25NF10LT4引脚图
STD25NF10LT4封装图
STD25NF10LT4封装焊盘图
在线购买STD25NF10LT4
型号: STD25NF10LT4
描述:N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STD25NF10LT4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STD25NF10LT4

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STD25NF10L

意法半导体

完全替代

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