STMICROELECTRONICS STD10NM65N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.43 ohm, 10 V, 3 V
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
欧时:
### N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
e络盟:
STMICROELECTRONICS STD10NM65N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.43 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
STD10NM65N 系列 N 沟道 650 V 0.48 Ohm MDmesh™ II 功率 Mosfet - TO-252-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.43 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 90 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 9A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 850pF @50VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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