STD10NM65N

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STD10NM65N概述

STMICROELECTRONICS  STD10NM65N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.43 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 650V 9A DPAK


欧时:
### N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STD10NM65N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.43 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
STD10NM65N 系列 N 沟道 650 V 0.48 Ohm MDmesh™ II 功率 Mosfet - TO-252-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 9A DPAK


STD10NM65N中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.43 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 9A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 850pF @50VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STD10NM65N
型号: STD10NM65N
描述:STMICROELECTRONICS  STD10NM65N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.43 ohm, 10 V, 3 V
替代型号STD10NM65N
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