STMICROELECTRONICS STH260N6F6-2 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 60 V, 0.0016 ohm, 10 V, 2 V
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
欧时:
### N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R
富昌:
STH260N6F6 系列 75 V 2 mOhm 表面贴装 N 沟道 功率 Mosfet - H2PAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 3-Pin2+Tab H2PAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK
针脚数 4
漏源极电阻 0.0016 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 180A
上升时间 165 ns
输入电容Ciss 11800pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 62.6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-263-3
长度 15.8 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.8 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99