STB21NK50Z

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STB21NK50Z概述

STMICROELECTRONICS  STB21NK50Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STB21NK50Z, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 V, 17 A, 0.23 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 17A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
N沟道 500 V 17 A D2PAK 0.27Ohm MOSFE


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 17A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


力源芯城:
500V,17A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK


STB21NK50Z中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.23 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 190 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 500 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 2600pF @25VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

数据手册

在线购买STB21NK50Z
型号: STB21NK50Z
描述:STMICROELECTRONICS  STB21NK50Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.23 ohm, 10 V, 3.75 V
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