STF25NM60ND

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STF25NM60ND概述

STMICROELECTRONICS  STF25NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220FP


欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF25NM60ND, 21 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装


贸泽:
MOSFET N-Ch, 600V-0.13ohms FDMesh 21A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 600V 21A 160mOhm TO220FP **


力源芯城:
600V,21A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220FP


STF25NM60ND中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.13 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 40 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 2400pF @50VVds

额定功率Max 40 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STF25NM60ND
型号: STF25NM60ND
描述:STMICROELECTRONICS  STF25NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V
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