N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
立创商城:
N沟道 600V 29A
欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STB36NM60ND, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
STB36NM60ND 系列 N 沟道 600 V 0.11 Ohm 表面贴装 FDMesh II 功率 MOSFET - D2PAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 29A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
极性 N-CH
耗散功率 190 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 29A
上升时间 53.4 ns
输入电容Ciss 2785pF @50VVds
额定功率Max 190 W
下降时间 61.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
