STP7NK80Z

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STP7NK80Z概述

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP7NK80Z, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装


立创商城:
N沟道 800V 5.2A


贸泽:
MOSFET N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 800 V, 1.8 ohm, 10 V, 3.75 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
N-沟道 800 V 1.75 Ohm 法兰安装 MDmesh™ K5 功率 MOSFET - TO-220-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP7NK80Z  Power MOSFET, N Channel, 5.2 A, 800 V, 1.8 ohm, 10 V, 3.75 V


儒卓力:
**N-CH 800V 5A 1800mOhm TO220-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP


STP7NK80Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 5.20 A

额定功率 125 W

针脚数 3

漏源极电阻 1.8 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 5.20 A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1138pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STP7NK80Z引脚图与封装图
STP7NK80Z引脚图
STP7NK80Z封装图
STP7NK80Z封装焊盘图
在线购买STP7NK80Z
型号: STP7NK80Z
描述:N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STP7NK80Z
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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