




























N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP7NK80Z, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
立创商城:
N沟道 800V 5.2A
贸泽:
MOSFET N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 800 V, 1.8 ohm, 10 V, 3.75 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
N-沟道 800 V 1.75 Ohm 法兰安装 MDmesh™ K5 功率 MOSFET - TO-220-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP7NK80Z Power MOSFET, N Channel, 5.2 A, 800 V, 1.8 ohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 800V 5A 1800mOhm TO220-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP
额定电压DC 800 V
额定电流 5.20 A
额定功率 125 W
针脚数 3
漏源极电阻 1.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.20 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1138pF @25VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STP7NK80Z ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STP9NK70Z 意法半导体 | 类似代替 | STP7NK80Z和STP9NK70Z的区别 |
FQP8N80C 飞兆/仙童 | 功能相似 | STP7NK80Z和FQP8N80C的区别 |
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