STMICROELECTRONICS STP80NF55-08 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
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STP80NF55-08
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MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
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Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
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STP80NF55-08 系列 55 V 8 mOhm N 沟道 STripFET™ II 功率 Mosfet - TO-220
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Newark:
# STMICROELECTRONICS STP80NF55-08 MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
Win Source:
N-CHANNEL 55V - .65 ohm - 8A D2PAK/I2PAK/TO-22 STripFET II POWER MOSFET
额定电压DC 55.0 V
额定电流 80.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 3850pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Industrial, 电源管理, 便携式器材, Consumer Electronics, Power Management, 消费电子产品, Portable Devices
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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