STL100N10F7

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STL100N10F7概述

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT


立创商城:
STL100N10F7


欧时:
### N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R


安富利:
N-channel 100V, 6.2mΩ typ., 19A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R


STL100N10F7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 100 W

阈值电压 2V ~ 4V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 5680pF @50VVds

额定功率Max 100 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 5W Ta, 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerFLAT-5x6-8

外形尺寸

长度 5.4 mm

宽度 6.35 mm

高度 0.95 mm

封装 PowerFLAT-5x6-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STL100N10F7
型号: STL100N10F7
描述:N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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