STL140N4LLF5

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STL140N4LLF5概述

N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


立创商城:
N沟道 40V 140A


得捷:
MOSFET N-CH 40V 140A POWERFLAT


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### N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this STL140N4LLF5 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 80000 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 140A 8-Pin Power Flat T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 140A 8-Pin Power Flat T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 140A 8-Pin Power Flat T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V 140A PWRFLAT5X6


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 140A PWRFLAT5X6


STL140N4LLF5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.0021 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 80 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 140A

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 5900pF @25VVds

额定功率Max 4 W

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 80W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerFLAT-5x6-8

外形尺寸

长度 4.75 mm

宽度 5.75 mm

高度 0.88 mm

封装 PowerFLAT-5x6-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STL140N4LLF5
型号: STL140N4LLF5
描述:N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STL140N4LLF5
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ST Microelectronics 意法半导体

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