STMICROELECTRONICS STW20NM60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V
通孔 N 通道 20A（Tc） 192W（Tc） TO-247-3
立创商城:
N沟道 600V 20A
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MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
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Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
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STW20NM 系列 N 沟道 600 V 0.29 Ohm MDmesh 功率 Mosfet - TO-247-3
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STW20NM60 Power MOSFET, N Channel, 20 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
额定电压DC 650 V
额定电流 20.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.25 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 192 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 1500pF @25VVds
额定功率Max 192 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 192W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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