N沟道500 V， 0.11 Ω ， 22一个的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， I2PAK ， D2PAK ， TO- 247 N-channel 500 V, 0.11 Ω, 22 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247
N-Channel 500V 22A Tc 40W Tc Through Hole TO-220FP
得捷:
MOSFET N-CH 500V 22A TO220FP
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Win Source:
N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
额定电压DC 550 V
额定电流 22.0 A
漏源极电阻 140 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 40W Tc
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 14.0 A, 22.0 A
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 2565pF @25VVds
额定功率Max 40 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STF25NM50N ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IPA50R140CP 英飞凌 | 功能相似 | STF25NM50N和IPA50R140CP的区别 |
IPP50R140CP 英飞凌 | 功能相似 | STF25NM50N和IPP50R140CP的区别 |