STF9HN65M2

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STF9HN65M2概述

TO-220FP N-CH 650V 5.5A

N-Channel 650V 5.5A Tc 20W Tc Through Hole TO-220FP


得捷:
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220FP


贸泽:
MOSFET N-channel 650 V, 0.71 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this STF9HN65M2 power MOSFET from STMicroelectronics.


Verical:
N-channel 600 V, 0.71 © typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220FP / N-Channel 650 V 5.5A Tc 20W Tc Through Hole TO-220FP


STF9HN65M2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 20 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 5.5A

上升时间 4.6 ns

输入电容Ciss 325pF @100VVds

下降时间 14.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 16.4 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买STF9HN65M2
型号: STF9HN65M2
描述:TO-220FP N-CH 650V 5.5A

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