P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET P-CH 40V 60A POWERFLAT
欧时:
### P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -60 A, -40 V, 0.0115 ohm, -10 V, -1 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 40V 60A 8-Pin Power Flat EP T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 40V 60A 8-Pin Power Flat EP T/R
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0115 Ω
极性 P-CH
耗散功率 100 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 60A
上升时间 60.6 ns
输入电容Ciss 3525pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerFLAT-5x6-8
长度 6.35 mm
宽度 5.4 mm
高度 0.95 mm
封装 PowerFLAT-5x6-8
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅