STMICROELECTRONICS SCT30N120 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 20 V, 2.6 V
N 通道碳化硅 SiC MOSFET，STMicroelectronics
碳化硅 SiC MOSFET 具有非常低的静电释放源接通电阻，用于 1200V 额定电压，并具有极佳的切换性能，可转换为更高效率和紧凑的系统。
欧时:
MOSFET N-Ch 45A 1200V SiC HiP247
得捷:
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
艾睿:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 1200V 45A 3-Pin HiP247 Tube
富昌:
N-Channel 1200 V 100 mΩ 270 W 105 nC Flange Mount Power Mosfet - HiP247
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; 270W; HIP247™
Verical:
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 45A 3-Pin HIP-247 Tube
Newark:
Power MOSFET, N Channel, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 20 V, 2.6 V
针脚数 3
漏源极电阻 0.08 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 270 W
阈值电压 2.6 V
输入电容 1700 pF
漏源极电压Vds 1200 V
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 1700pF @400VVds
额定功率Max 270 W
下降时间 28 ns
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 270W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Industrial, Power Management, 工业, Industrial, 电源管理
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99