STP3NK100Z

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STP3NK100Z概述

STMICROELECTRONICS  STP3NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1 kV, 5.4 ohm, 10 V, 3.75 V

通孔 N 通道 2.5A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220AB


贸泽:
MOSFET 1000V 5.4Ohm 2.5A Zener SuperMESH


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STP3NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1 kV, 5.4 ohm, 10 V, 3.75 V


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the STP3NK100Z power MOSFET, developed by STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 90000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes supermesh technology.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
STP3NK100Z 系列 1000V 6 Ohm N 沟道 齐纳-保护 SuperMESH™ Mosfet TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1KV 2.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


STP3NK100Z中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 5.4 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 1000 V

漏源击穿电压 1000 V

连续漏极电流Ids 12.5 A

上升时间 7.5 ns

输入电容Ciss 601pF @25VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 32 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP3NK100Z
型号: STP3NK100Z
描述:STMICROELECTRONICS  STP3NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1 kV, 5.4 ohm, 10 V, 3.75 V
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