STMICROELECTRONICS STD5NM60-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V
通孔 N 通道 5A（Tc） 96W（Tc） I-PAK
得捷:
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
立创商城:
N沟道 600V 5A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 5 A, 0.9 ohm, TO-251, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
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Verical:
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儒卓力:
**N-CH 600V 5A 950mOhm TO251-3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
额定电压DC 650 V
额定电流 8.00 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.9 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 96 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 400pF @25VVds
额定功率Max 96 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 96W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
宽度 2.4 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
ECCN代码 EAR99