















STMICROELECTRONICS STP8N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 710 V, 0.56 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STP8N65M5, 7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
e络盟:
# STMICROELECTRONICS STP8N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 710 V, 0.56 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220
针脚数 3
漏源极电阻 0.56 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 690pF @100VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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