STB23N80K5概述
N沟道 800V 16A
N-Channel 800V 16A Tc 190W Tc Surface Mount D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 800V 16A D2PAK
立创商城:
N沟道 800V 16A
贸泽:
MOSFET N-channel 800 V, 0.23 O typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D PAK package
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin D2PAK T/R
富昌:
STB23N80K5 系列 800 V 0.28 Ω 16 A N-沟道 MDmesh™ K5 功率 MOSFET - TO-263-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
STB23N80K5中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 280 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 16A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 1000pF @100VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买STB23N80K5