STMICROELECTRONICS STD95N3LLH6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1 V
N-Channel 30V 80A Tc 70W Tc Surface Mount DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
欧时:
### N 通道 MOSFET,已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点(称作源极和漏极)之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
贸泽:
MOSFET POWER MOSFET
e络盟:
STMICROELECTRONICS STD95N3LLH6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1 V
艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of STMicroelectronics&s; STD95N3LLH6 power MOSFET. Its maximum power dissipation is 70000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This device utilizes stripfet vi technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.0037 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 91 ns
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 23.4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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