TO-92 NPN 400V 1A
Bipolar BJT Transistor NPN 400V 1A 1W Through Hole TO-92AP
得捷:
TRANS NPN 400V 1A TO92AP
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
安富利:
Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
Win Source:
TRANS NPN 400V 1A TO-92
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 10 @400mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 30
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 4.8 mm
宽度 3.8 mm
高度 4.5 mm
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Box TB
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STBV42-AP ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STBV42G 意法半导体 | 完全替代 | STBV42-AP和STBV42G的区别 |
STBV42D 意法半导体 | 类似代替 | STBV42-AP和STBV42D的区别 |
STBV42G-AP 意法半导体 | 类似代替 | STBV42-AP和STBV42G-AP的区别 |