STMICROELECTRONICS STU4N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 620 V, 1.7 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
欧时:
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STU4N62K3, 3.8 A, Vds=620 V, 4引脚
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 620 V, 3.8 A, 1.7 ohm, TO-251, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
力源芯城:
620V,1.7Ω,3.8A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK
针脚数 3
漏源极电阻 1.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 620 V
连续漏极电流Ids 3.8A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 550pF @50VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.6 mm
宽度 2.4 mm
高度 6.9 mm
封装 TO-251-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STU4N62K3 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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