STU4N62K3

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STU4N62K3概述

STMICROELECTRONICS  STU4N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 620 V, 1.7 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STU4N62K3, 3.8 A, Vds=620 V, 4引脚


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 620 V, 3.8 A, 1.7 ohm, TO-251, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


力源芯城:
620V,1.7Ω,3.8A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 620V 3.8A IPAK


STU4N62K3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.7 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 620 V

连续漏极电流Ids 3.8A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 550pF @50VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.9 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STU4N62K3
型号: STU4N62K3
描述:STMICROELECTRONICS  STU4N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 620 V, 1.7 ohm, 10 V, 3.75 V
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