








STMICROELECTRONICS STH410N4F7-2AG MOSFET Transistor, AEC-Q101, N Channel, 200 A, 40 V, 0.0008 ohm, 10 V, 4.5 V 新
N 通道 STripFET™ F7 系列,STMicroelectronics
STMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻,内部电容和栅极电荷降低,以便更快、更高效地切换。
得捷:
MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-2
立创商城:
N沟道 40V 200A
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e络盟:
功率场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 40 V, 200 A, 800 µohm, H2PAK-2, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 200A Automotive 3-Pin2+Tab H2PAK T/R
安富利:
N-channel STripFET > 30 V to 350 V
Newark:
# STMICROELECTRONICS STH410N4F7-2AG MOSFET, N-CH, 40V, 200A, H2PAK
针脚数 3
极性 N-Channel
耗散功率 365 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 200A
上升时间 198 ns
输入电容Ciss 11500pF @25VVds
下降时间 44.2 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 365W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 9.17 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.8 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17