STU2LN60K3参数规格_中文资料_数据手册PDF

STU2LN60K3概述

600V,2A,N沟道MOSFET

通孔 N 通道 600 V 2A（Tc） 45W（Tc） I-PAK

得捷:
MOSFET N CH 600V 2A IPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin3+Tab IPAK Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin TO-251 Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin3+Tab IPAK Tube

力源芯城:
600V,2A,N沟道MOSFET

DeviceMart:
MOSFET N CH 600V 2A IPAK

STU2LN60K3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 45 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 2A

上升时间 8.5 ns

输入电容Ciss 235pF @50VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： STU2LN60K3

描述：600V,2A,N沟道MOSFET