STU2NK100Z

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STU2NK100Z概述

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK


欧时:
### N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this STU2NK100Z power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 70000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device utilizes supermesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.16A; 70W; IPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.85A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK / N-Channel 1000 V 1.85A Tc 70W Tc Through Hole I-PAK


STU2NK100Z中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 6.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 70 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 1000 V

上升时间 6.5 ns

输入电容Ciss 499pF @25VVds

下降时间 32.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.9 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STU2NK100Z
型号: STU2NK100Z
描述:N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STU2NK100Z
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STU2NK100Z

ST Microelectronics 意法半导体

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STU2NK100Z和STP2NK100Z的区别

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