STD12N50DM2概述
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3Pin2+Tab DPAK T/R
N-Channel 500V 11A Tc 110W Tc Surface Mount DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
贸泽:
MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
STD12N50DM2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 350 mΩ
耗散功率 110 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 628pF @100VVds
下降时间 9.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买STD12N50DM2
型号： STD12N50DM2
描述：Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3Pin2+Tab DPAK T/R