




N沟道800V - 13ヘ - 1 A TO- 92 / SOT- 223 / DPAK / IPAK齐纳 - 保护SuperMESH⑩ MOSFET N-CHANNEL 800V - 13 ヘ - 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAK Zener - Protected SuperMESH⑩ MOSFET
N-Channel 800V 1A Tc 45W Tc Through Hole I-PAK
得捷:
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 45 W
阈值电压 3.75 V
输入电容 160 pF
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 1A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 160pF @25VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 45W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
宽度 2.4 mm
高度 6.2 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD1NK80Z-1 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
FQU1N80 飞兆/仙童 | 功能相似 | STD1NK80Z-1和FQU1N80的区别 |