SSM3J15CTTPL3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SSM3J15CTTPL3概述

MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -1A -30V -20VGS

P-Channel 30V 100mA Ta 100mW Ta Surface Mount CST3

得捷:
MOSFET P-CH 30V 100MA CST3

贸泽:
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -1.0A -30V -20VGS

SSM3J15CTTPL3中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 14 Ω

耗散功率 100 mW

阈值电压 1.7 V

漏源击穿电压 30 V

输入电容Ciss 9.1pF @3VVds

耗散功率Max 100mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 CST-3

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.6 mm

高度 0.38 mm

封装 CST-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SSM3J15CTTPL3引脚图与封装图

在线购买SSM3J15CTTPL3

型号： SSM3J15CTTPL3

制造商： Toshiba 东芝

描述：MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -1A -30V -20VGS