STU16N65M5

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STU16N65M5概述

N沟道 650V 12A

通孔 N 通道 12A(Tc) 90W(Tc) I-PAK


立创商城:
N沟道 650V 12A


得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A IPAK


贸泽:
MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH


艾睿:
As an alternative to traditional transistors, the STU16N65M5 power MOSFET from STMicroelectronics can be used to both amplify and switch electronic signals. Its maximum power dissipation is 90000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device utilizes mdmesh technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


STU16N65M5中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.23 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 25 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 1250pF @100VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.2 mm

封装 TO-251-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STU16N65M5引脚图与封装图
STU16N65M5引脚图
STU16N65M5封装图
STU16N65M5封装焊盘图
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型号: STU16N65M5
描述:N沟道 650V 12A
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