STD5NK40Z-1

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STD5NK40Z-1概述

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 400V 3A IPAK


立创商城:
STD5NK40Z-1


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD5NK40Z-1, 3 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK TO-251封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 400 Volt 3.0 A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 400 V, 1.47 ohm, 10 V, 3.75 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.9A; 45W; I2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD5NK40Z-1  MOSFET Transistor, N Channel, 3 A, 400 V, 1.47 ohm, 10 V, 3.75 V


Win Source:
MOSFET N-CH 400V 3A IPAK


STD5NK40Z-1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1.47 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 400 V

漏源击穿电压 400 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 305pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.2 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

制造应用 Lighting, Power Management, 照明, 工业, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STD5NK40Z-1引脚图与封装图
STD5NK40Z-1引脚图
STD5NK40Z-1封装焊盘图
在线购买STD5NK40Z-1
型号: STD5NK40Z-1
描述:N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STD5NK40Z-1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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