SSM6K211FE,LF

SSM6K211FE,LF图片1
SSM6K211FE,LF概述

Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 6Pin SOT-563

N-Channel 20V 3.2A Ta 500mW Ta Surface Mount ES6


得捷:
MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6


贸泽:
MOSFET Small-Signal MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6


SSM6K211FE,LF中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 118 mΩ

耗散功率 500 mW

阈值电压 350 mV

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

输入电容Ciss 510pF @10VVds

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 ES-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.55 mm

封装 ES-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买SSM6K211FE,LF
型号: SSM6K211FE,LF
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 6Pin SOT-563

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