STD3NK60Z-1

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STD3NK60Z-1概述

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics


立创商城:
N沟道600V 2.4A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD3NK60Z-1, 2.4 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK TO-251封装


贸泽:
MOSFET N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Newark:
Power MOSFET, N Channel, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V


儒卓力:
**N-CH 600V 2A 3600mOhm TO251-3 **


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK


STD3NK60Z-1中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 3.3 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 2.40 A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 311pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.4 mm

高度 6.2 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Lighting, Industrial, Power Management, Lighting, Power Management, 工业, Industrial, 照明, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/06/16

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STD3NK60Z-1引脚图与封装图
STD3NK60Z-1引脚图
STD3NK60Z-1封装图
STD3NK60Z-1封装焊盘图
在线购买STD3NK60Z-1
型号: STD3NK60Z-1
描述:N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
替代型号STD3NK60Z-1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STD3NK60Z-1

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STD3NK60ZT4

意法半导体

完全替代

STD3NK60Z-1和STD3NK60ZT4的区别

STP55NF06

意法半导体

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