STD10PF06-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

STD10PF06-1概述

P沟道60V - 0.18欧姆 - 10A IPAK / DPAK的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 60V - 0.18 Ohm - 10A IPAK/DPAK STripFET II POWER MOSFET

P-Channel 60V 10A Tc 40W Tc Through Hole I-PAK

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STD10PF06-1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -10.0 A

漏源极电阻 180 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 40 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 10.0 A

上升时间 40 ns

输入电容Ciss 850pF @25VVds

额定功率Max 40 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STD10PF06-1

型号： STD10PF06-1

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：P沟道60V - 0.18欧姆 - 10A IPAK / DPAK的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 60V - 0.18 Ohm - 10A IPAK/DPAK STripFET II POWER MOSFET

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替代型号STD10PF06-1

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