SSM6H19NU,LF

SSM6H19NU,LF图片1
SSM6H19NU,LF概述

Trans MOSFET N-CH 40V 2A 6Pin UDFN Embossed T/R

N-Channel 40V 2A Ta 1W Ta Surface Mount 6-UDFN 2x2


得捷:
MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN


贸泽:
MOSFET UDFN6 S-MOS TRSTR Pd: 0.5W F: 1MHz


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 2A 6-Pin UDFN EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 2A 6-Pin UDFN Embossed T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 2A 6-Pin UDFN EP T/R


SSM6H19NU,LF中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 160 mΩ

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

输入电容Ciss 130pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 uDFN-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 2 mm

高度 0.75 mm

封装 uDFN-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SSM6H19NU,LF引脚图与封装图
SSM6H19NU,LF引脚图
SSM6H19NU,LF封装图
SSM6H19NU,LF封装焊盘图
在线购买SSM6H19NU,LF
型号: SSM6H19NU,LF
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans MOSFET N-CH 40V 2A 6Pin UDFN Embossed T/R

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