SSM5N16FUTE85LF

SSM5N16FUTE85LF图片1
SSM5N16FUTE85LF概述

MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 20V 2in-1

表面贴装型 N 通道 20 V 100mA(Ta) 200mW(Ta) 5-SSOP


得捷:
MOSFET N-CH 20V 100MA USV


贸泽:
MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 20V 2-in-1


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 0.1A USV


SSM5N16FUTE85LF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 200 mW

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 9.3pF @3VVds

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 200mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-353-5

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-353-5

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SSM5N16FUTE85LF
型号: SSM5N16FUTE85LF
制造商: Toshiba 东芝
描述:MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 20V 2in-1

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